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鈣鈦礦鍍膜機主要由有機/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、蒸發(fā)源、樣品加熱控溫、電控系統(tǒng)、配氣系統(tǒng)等部分組成。適用于制備金屬單質薄膜、半導體薄膜、氧化物薄膜、有機薄膜等，可用于科研單位進行新材料、新工藝薄膜研究工作，也可用于大批量生產前的試驗工作，廣泛應用于有機、無機、鈣鈦礦薄膜太陽能電池、OLED等研究領域。

OTF-1200X-RTP-II-5-R 5英寸旋轉蒸發(fā)鍍膜爐，其爐腔體是一直徑為11英寸的石英管。此款設備專門設計針對于熱蒸發(fā)或CSS（Close Spaced Sublimation）鍍膜實驗，其鍍膜面積可達到5“x5“，并且頂部載樣臺可旋轉，提高鍍膜均勻性。此款高溫爐的加熱元件是兩組紅外燈管（分別位于頂部和底部），大升溫速率為10ºC/s 。對于探索新一代的薄膜太陽能電池，

GSL-1700X-EV4 程序控溫型四坩堝蒸發(fā)鍍膜儀是一款小型溫控型蒸發(fā)鍍膜儀，內部設有4個蒸發(fā)坩堝，且每個蒸發(fā)坩堝都帶有擋板，多可放置4種不同的蒸發(fā)物料，可在同一氣氛下依次鍍膜，實現(xiàn)多層膜的沉積工藝?？沙绦蚩販兀販胤秶?00-1500℃（選用B型熱電偶：1200℃-1700℃），大可蒸鍍直徑2英寸薄膜樣品，樣品臺可旋轉以獲得更均勻的薄膜，可制備各種金屬薄膜和有機物薄膜。

VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀是一款帶有兩個靶頭的磁控濺射鍍膜儀，其中一個靶頭采用直流（DC）濺射，可濺射金屬靶材制備金屬膜，另一個采用射頻（RF）濺射，可濺射金屬和氧化物靶材，制備金屬或氧化物膜.設備上安裝有薄膜測厚儀可以實時監(jiān)測薄膜的厚度。此設備可制作各種單層或多層薄膜，如鐵電、導電，合金，半導體，陶瓷，介電，光學，氧化物和PTFE薄膜等。而且設備體積較小操作方便，是一套理想的實驗工具。

GSL-1100X-SPC-16-3等離子三靶濺射儀是依據二極（DC）直流濺射原理設計而成的最-簡單、可靠、經濟的鍍膜設備。本機特別之處是在一個真空室內安裝了三個靶，旋轉樣品臺可依次在同一樣品上涂覆三種材料。因此，適用于實驗室各種復合膜樣品的制備，以及非導體材料實驗電極的制作。

GSL-1100X-SPC-16M磁控濺射鍍膜儀是依據二極（DC）直流濺射原理設計而成的最-簡單、可靠、經濟的鍍膜設備，適用于實驗室各種復合膜樣品的制備，以及非導體材料實驗電極的制作。